坊間對紅外LED的認知與運擺閘用有一些誤區(qū)，其中較重要的是：

    一、對散熱的重要性比較忽視：我擺閘們常見使用太小的散熱片擺閘或根本沒使用散熱片的情況出現(xiàn)。要知道：散熱不良會造成芯片工作溫度高而產(chǎn)生紅外波長飄升和光電轉換效率降低的結擺閘果。波長飄高，超過850nm后，造成攝像機CCD對光線感擺閘變差，也就是夜視效果變差。光電轉換效率低就是亮度不夠。往往幾毛錢的散熱片會產(chǎn)生小兵立大功的大效果。

    二、錯誤的以手觸摸來測試溫度：經(jīng)常有人被自己嚇了一跳，因為人手放在超過攝氏44度的外殼（或散熱體）上，不到2-3秒就不能忍受了，因此覺得“太熱”，其實，這擺閘溫度并不高，完全不會傷害電子元器件的正常工作。況且外殼擺閘（或散熱體）的溫度越高就說明了：“熱”導擺閘出越良好。“能量是不滅的”---設想：外殼（或散熱體）不熱，這“熱”到那擺閘兒去了？熱停留在芯片上導不出，擺閘就造成芯片在高溫下工作，夜視效果就差，光衰就大，壽命就短。

    三、認為較大芯片就一定比較小芯片“亮”：因此常盲目擺閘指定要求用大尺寸芯片的LED。要知道：亮度取決于電流，電流能用多大？取擺閘決于散熱的處理，也就是：散熱決定了電流進擺閘而決定了亮度，而非芯片的尺寸決定亮度。理論上，相同品牌芯片不論尺寸大小，若電流、電壓相同（功率相同），產(chǎn)生的熱量就同，問題在：相同的熱量是散在多大面積上？散在針擺閘孔般大小的面積上與散在巴掌擺閘般大小的面積上，其散熱處理的難度就大大不同了。在處理散熱上，各家由于技術不同，設備不同，散熱材料不同，因此，各家能在多大面積上處理掉相同的“熱擺閘“的能力就不同。

    舉例而言：若提供1.2A的電流擺閘在晶元28mil芯片和42mil芯片擺閘上，其電壓略同（1.7V左右），所以功率略同（約2W），當然產(chǎn)生的熱量也略同，問題是：把這2W的熱量散在42mil芯片的面積上，比較容易處理，散在28mil芯片上就難了些。使用傳統(tǒng)銀膠來“固晶”的封裝擺閘方法，其熱阻一般為20°擺閘C-30°C/W，使用共晶技術封裝，其熱擺閘阻一般為6°C-10°C/W，這說明散熱效果截然不同。以上兩者能使用的驅動電流就大大不同了，亮度也就相差很大了。

    當然，用先進的散熱技術而選用小芯片封裝、大電流驅動的方法也有限度，若將上述2W的熱量放在10mil芯片的面積上，即使以共晶制程封裝，擺閘目前也難順利完整的把擺閘熱導出。期盼未來在散擺閘熱技術、材料更進步后，或許能實現(xiàn)使用更小芯片，價格更低，但夜視效果依舊的更先進的紅外LED。

    綜上所述：大尺寸芯片的夜視效果未必比小尺寸芯片的強，端視散擺閘熱處理的好壞來決定。因此，共晶制程的封裝技術便是擺閘目前性價比進步的重要手段之一，也應是未來的趨勢。